双栅极mos晶体管器件的设计与研究开题报告

1. 本选题研究的目的及意义

随着微电子技术的不断发展，集成电路的集成度越来越高，芯片的性能也越来越强大。

然而，传统的单栅极mosfet器件由于短沟道效应等因素的限制，其性能提升已经遇到了瓶颈。

为了满足未来集成电路发展的需求，新型晶体管器件的研发迫在眉睫。

2. 本选题国内外研究状况综述

双栅极mosfet器件的研究始于上世纪80年代，经过几十年的发展，已经在理论研究、器件设计、工艺制备以及性能优化等方面取得了显著进展。

1. 国内研究现状

国内在双栅极mosfet器件方面的研究起步较晚，但近年来发展迅速。

3. 本选题研究的主要内容及写作提纲

本课题将以高性能、低功耗的双栅极mosfet器件为研究目标，针对器件的设计、仿真、工艺制备以及性能测试等方面展开深入研究。

1. 主要内容

1.对双栅极mosfet器件的物理基础进行深入研究，包括mosfet的基本结构和工作原理、双栅极结构类型、双栅极mosfet的工作原理分析以及影响器件性能的关键参数等。

4. 研究的方法与步骤

本课题将采用理论分析、数值模拟和实验验证相结合的研究方法。

首先，通过查阅文献和相关资料，对双栅极mosfet器件的物理机制、设计方法以及工艺制备进行深入了解，并在此基础上确定研究方向和目标。

其次，利用仿真软件（如silvacotcad、sentaurustcad等）构建器件模型，对不同结构参数下的器件性能进行仿真模拟，并根据仿真结果优化器件结构和工艺参数。

5. 研究的创新点

本课题的创新点在于：1.提出一种新型的双栅极mosfet器件结构，该结构能够有效地提高器件的栅极控制能力，并降低器件的短沟道效应。

2.开发一种新的双栅极mosfet器件工艺制备方法，该方法能够有效地提高器件的成品率和性能。

3.对双栅极mosfet器件的性能进行深入分析，并提出相应的优化方案。

6. 计划与进度安排

第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。

第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲

第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文

7. 参考文献（20个中文5个英文）

[1] 蔡志强, 周鹏, 陈杰, 等. 基于新型sige异质结增强型finfet器件的射频性能研究[j]. 物理学报, 2023, 72(1): 018501.

[2] 刘俊, 闫文锦, 董树荣, 等. 局部栅叠层纳米片沟道晶体管的模拟与分析[j]. 微电子学与计算机, 2022, 39(5): 1-6.

[3] 刘鹏. 基于新结构隧穿晶体管低功耗电路设计[d]. 南京: 东南大学, 2021.