量子阱对GaN基LED器件性能影响研究开题报告

1. 研究目的与意义

本课题的现状及发展趋势：

gan基led具有发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，基于led的半导体照明被认为是最有可能替代传统照明的新型固态冷光源。高效率led芯片研究已成为微纳制造领域一个重要的研究方向，近年来备受研究人员青睐。进一步提高gan基led芯片的发光效率是半导体照明替代传统照明的关键因素。为此，有许多制造技术有待攻克，主要集中在异质外延生长、芯片制造等关键环节。随着研究的深入和产业的发展，gan基发光二极管的材料生长和器件制造技术已经取得了长足进步，器件效率和可靠性也有显著提升。

2. 研究内容和问题

基本内容：

通过改变硅衬底gan-led特性参数，如in组分的改变、阱垒对数的调整、多量子阱与单量子阱对比，观察其对led发光特性的影响，从而进一步改善led发光特性。

3. 设计方案和技术路线

研究方法：

分析对比改变硅衬底gan基led特性参数，如in组分的改变、阱垒对数的调整、多量子阱与单量子阱对比分析发光特性的影响。

4. 研究的条件和基础

对半导体物理和器件等有比较深刻的理解，对器件结构有所理解；能够使用Silvaco仿真软件；能够对仿真结果作出合理的分析。