Laser器件的工艺设计与性能研究开题报告

1. 研究目的与意义

半导体激光器的发展与光通信紧密联系。我国于1963年12月研制成gaaspn结激光器，1971年制成gaas/gaalas双异质结激光器，1975年研制成室温连续工作的双异质结gaas半导体激光器。近年来，我国用无籽晶气相生长法，不需退火或扩散杂质，就直接制取高质量激光二极管。在制备工艺方面，用分子束外延法生长了双异质结激光器；并且制成窄沟槽衬底条形gaaias/gaas双异质结单模激光器。波长1.3 um的ingaasp/inp双异质结激光器，也已研制成功。目前已研制出发射16um激光的pbsnse二极管激光器，最低阈值电流64ma,最高和最低频率分别相应13.7um和19.1um。

本课题基于silvaco软件来进行半导体激光器件的仿真，对器件性能进行研究

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2. 研究内容和问题

研究内容：与传统器件相比，半导体激光器件具有很多突出优点，例如体积小、能耗低、光衰非常小、寿命长、工作效率高等。

全球各国都非常重视半导体激光器件的发展，为此入了巨大的人力物力。

研究目标：旨在研究半导体激光器件的工艺仿真，并研究laser器件的性能。

3. 设计方案和技术路线

研究方法：先是对大量的中英文文献进行了检索研究，积累了很多的相关理论知识，包括软件的使用方法，接着在使用模拟软件的同时，对所学知识进行了进一步的理解。

使用silvaco仿真模拟软件，对laser器件的工艺和性能进行了仿真、对比和分析研究。

技术路线：调试程序，运行仿真，进行不同参数下的工艺和性能对比。

4. 研究的条件和基础

1.学习并掌握SILVACO TCAD软件及相关应用课程；2.能够使用Devedit和Atlas工作平台；3.会查阅相关文献资料，了解Laser器件工艺和器件性能。