基于碳量子点阻变存储器的设计制备与性能研究开题报告

1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，广泛应用于信息，社会安全，航空/航天，军事/国防，新能源和科学研究的各个领域，是国家竞争力的重要体现。

随着大数据，云计算，物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式增长，因此 存储器有着巨大的市场。

如何不断提高存储的性能成为信息科学领域的一个关键性基础问题[1]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题要研究或解决的问题：本课题旨在基于碳量子设计制备一种以还原氧化石墨烯（rgo）为下电极，碳量子点（cds）为阻变功能层，金属铝（al）为上电极的阻变存储器，通过调节阻变功能层cds的含量及阻变功能层薄膜的厚度以实现不同的存储模式。

具体研究内容如下：1. 制备rgo电极；2. 以制备的rgo电极为下电极制备rgo/cds/al三明治结构的存储器，并进行相关基础电学性能的测试；3. 根据测试结果进一步分析及评估，做出器件优化与性能调控。

拟采用的研究手段：1) 真空蒸镀将基片放入真空室内，以电阻、电子束、激光等方法加热膜料，使膜料蒸发或升华，气化为具有一定能量（0.1～0.3ev）的粒子（原子、分子或原子团）。